AO3051高精度单晶硅差压/压力变送器
标准规格
(以标准零点为基准调校量程,不锈钢 316L膜片,填充液为硅油)
一、性能规格
调量程的参考精度
(包括从零点开始的线性、回差和重复性)± 0.075%
若TD>10 (TD=量程/调节量程)则为:±(0.0075×TD)%
平方根输出精度为以上线性参考精度的1.5倍
1、环境温度影响
量程代码
-20℃~65℃总影响量
A
±(0.45×TD+0.25)%×Span
B
±(0.30×TD+0.20)%×Span
C/D/E
±(0.20×TD+0.10)%×Span
量程代码
-40℃~-20℃和65℃~85℃总影响量
A
±(0.45×TD+0.25)%×Span
B
±(0.30×TD+0.20)%×Span
C/D/E
±(0.20×TD+0.10)%×Span
过范围影响:±0.075%×Span
2、静压影响
量程代码
影响量
A
±(0.15%URL+0.10%Span)/4MPa
B
±(0.10%URL+0.075%Span)/16MPa
C/D/E
±(0.05%URL+0.05%Span)/16MPa
3、过压影响
量程代码
影响量
A
±0.2%×Span/4MPa
B
±0.2%×Span/16MPa
C/D/E
±0.1%×Span/16MPa
4、长期稳定性
量程代码
影响量
A
±0.5%×Span/1年
B
±0.2%×Span/1年
C/D/E
±0.1%×Span/1年
电源影响: ±0.001% /10V (12~42V DC),可忽略不计。
二、功能规格
1、量程和范围
量程/范围
kPa
mbar
A
量程
0.1~1
1~10
范围
-1~1
-10~10
B
量程
0.2~6
2~60
范围
-6~6
-60~60
C
量程
0.4~40
4~400
范围
-40~40
-400~400
D
量程
2.5~250
25~2500
范围
-250~250
-2500~2500
E
量程
20~2000
0.2~20 bar
范围
-500~2000
-5~20bar
2、量程上下限
在量程的上下限范围内,可以任意调整。
建议选择量程比尽可能低的量程代码,以优化性能特征。
3、零点设置
零点和量程可以调节到表中测量范围内的任何值,只要:标定量程≥最小量程
4、安装位置影响
与膜片面平行方向的安装位置变化不会造成零漂影响,若安装位置与膜片面超过90°的变化,会发生<0.4kPa范围内的零位影响,可以通过调节调零校正。无量程影响。
5、输出
2线制,4~20mADC,可选HART输出数字通讯,可选择线性或平方根输出。
输出信号极限:Imin=3.9mA,Imax=20.5mA
6、报警电流
低报模式(最小):3.7 mA
高报模式():21 mA
不报模式(保持):保持故障前的有效电流值
报警电流标准设置:高报模式
7、响应时间
放大器部件阻尼常数为0.1s;传感器时间常数为0.1~1.6s,取决于量程及量程比。附加的可调时间常数为:0.1~60s。
对非线性输出(如平方根功能)的影响取决于该功能,并可据此计算。
预热时间: < 15s
环境温度:-40~85℃; 带液晶显示、氟橡胶密封圈时 -20~65℃
储存温度/运输温度:-50~85℃;带液晶显示时:-40~85℃
工作压力:额定工作压力分为:16MPa、25MPa、40MPa三档
静压极限:从3.5kPa绝对压力至额定压力,保护压力可大于额定压力的1.5倍,同时加于变送器两侧。
单向过载极限:单向过载可达额定压力
电磁兼容性(EMC)
见下页《电磁兼容性附表》
三、安装
1、电源及负载条件
电源电压为24V,R≤(Us-12V)/Imax kΩ;其中 Imax=23 mA
电源电压:42VDC
最小电源电压:12VDC,15VDC(背光液晶显示)
数字通讯负载范围: 250~600Ω
2、电气连接
M20X1.5电缆密封扣,接线端子适用于0.5~2.5mm2的导线。
3、过程连接
过程连接法兰的两端面有NPT 1/4 和UNF 7/16``内螺纹。
四、物理规格
1、材质
测量膜盒:不锈钢 316L
膜片: 不锈钢 316L、哈氏合金C
过程法兰:不锈钢 304
螺母及螺栓:不锈钢(A4)
填充液: 硅油
聚四氟乙烯(PTFE)
变送器外壳:铝合金材质,外表喷涂环氧树脂
铭牌: 不锈钢 304
重量:3.3kg(无:液晶显示、安装支架、过程连接)
外壳防护等级:IP67
2、电磁兼容性附表
序号
测试项目
基本标准
测试条件
性能等级
1
辐射干扰(外壳)
GB/T 9254-2008表5
30MHz~1000MHz
合格
2
传导干扰
(直流电源端口)
GB/T 9254-2008表1
0.15MHz~30MHz
合格
3
静电放电(ESD)抗扰度
GB/T 17626.2-2006
4kV(触点)
8kV(空气)
B
4
射频电磁场抗扰度
GB/T 17626.3-2006
10V/m (80MHz~1GHz)
A
5
工频磁场抗扰度
GB/T 17626.8-2006
30A/m
A
6
电快速瞬变脉冲群抗扰度
GB/T 17626.4-2008
2kV(5/50ns,5kHz)
B
7
浪涌抗扰度
GB/T 17626.5-2008
1kV(线线之间)
2kV(线地之间)(1.2us/50us)
B
8
射频场感应的传导干扰抗扰度
GB/T 17626.6-2008
3V (150KHz~80MHz)
A
注:(1)A性能等级说明:测试时,在技术规范极限内性能正常。
(2)B性能等级说明:测试时,功能或性能暂时降低或丧失,但能自行恢复,实际运行状况、存储及其数据不改变。